Curve Tracer IWATSU per la caratterizzazione dei dispositivi ad alta potenza
Il nuovo Curve Tracer IWATSU CS-8000 è stato progettato specificatamente per la caratterizzazione dei dispositivi ad alta potenza quali Silicon Carbide (SiC) e Gallium Nitride (GaN).
PRODOTTI IN EVIDENZA
Evoluzione e caratteristiche dei Curve Tracer ad alta potenza
Test ad alta potenza On-Wafer con Wafer-Prober
Semiconductor Curve Tracer
La naturale evoluzione dell’elettronica di potenza sostenuta dall’emergente mercato dell’elettrificazione ha portato ad un forte aumento delle frequenze di commutazione, dei livelli di tensione e di corrente con la conseguente richiesta di Semiconductor Curve Tracer progettati specificatamente per la caratterizzazione dei dispositivi ad alta potenza quali Silicon Carbide (SiC) e Gallium Nitride (GaN).
I curvetracer IWATSU continuano ad evolversi per soddisfare le esigenze dei clienti grazie ad una combinazione di funzionalità, specifiche all’avanguardia e usabilità. La serie CS-8000 è dotata di una sorgente ad alta tensione fino a 5 kV e una sorgente ad alta corrente fino a 2 kA. Presenta uscita a impulsi, modello di gate e risoluzione nella misurazione della corrente molto piccola; supporta quindi a pieno il design e la valutazione di semiconduttori a banda larga come SiC e GaN.
Nuovo Curve Tracer IWATSU CS-8000
I curvetracer IWATSU continuano ad evolversi per soddisfare le esigenze dei clienti grazie ad una combinazione di funzionalità, specifiche all’avanguardia e usabilità. La serie CS-8000 è dotata di una sorgente ad alta tensione fino a 5 kV e una sorgente ad alta corrente fino a 2 kA. Presenta uscita a impulsi, modello di gate e risoluzione nella misurazione della corrente molto piccola; supporta quindi a pieno il design e la valutazione di semiconduttori a banda larga come SiC e GaN.
